SK海力士開發第6代10奈米DRAM晶片 效能提高逾9%

中央社

(中央社首爾29日綜合外電報導)全球第2大韓國記憶體晶片製造商SK海力士(SK Hynix)今天表示,已開發業界首創第6代10奈米動態隨機存取記憶體(DRAM)晶片,相較於舊型號,這款新晶片耗電量更低。

路透社報導,人工智慧(AI)晶片龍頭輝達(NVIDIA)在聲明中指出,輝達供應商SK海力士這款名為16Gb 1c DDR5晶片的電源效率,比上一代晶片提高超過9%。

輝達表示,在人工智慧需求激增的情況下,這款晶片能讓數據中心將電力成本減少30%。

SK海力士說,這款新晶片計劃明年開始大量出貨。(實習編譯:張威蓁/核稿:劉文瑜)1130829

新聞來源:中央社



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