中央社
（中央社紐約31日綜合外電報導）美國總統拜登政府今天宣布，將投資約8億2500萬美元（約新台幣263億元）在紐約州首府阿爾巴尼（Albany）打造半導體研發旗艦設施。
路透社報導，美國商務部與美國國家半導體技術中心（National Semiconductor Technology Center）的營運商Natcast發布聯合聲明指出，紐約州這座設施有望推動極紫外光（EUV）技術創新。
聯邦官員選定阿爾巴尼奈米科技綜合園區（Albany NanoTech Complex）為研究尖端半導體科技極紫外光曝光機的國家總部。
聯邦參議院多數黨領袖舒默（Chuck Schumer）表示，這座實驗室將擁有全球最先進晶片製造設備，並允許半導體產業和大學的研究人員在這裡展開合作。
舒默接受電話訪問時說：「當你在這裡進行高端研究，你可以製造出全球最先進晶片，除可確保我們的軍隊掌握優勢，還能確保我們的經濟與企業處於領先地位。」
這座隸屬於國家半導體技術中心的極紫外光中心預計明年啟用。
舒默指出：「這將使紐約州北部成為半導體研究中心，不只對美國，對全世界而言也是如此。」
商務部尚未宣布另外2座國家技術中心將落腳何處。（譯者：洪啟原/核稿：何宏儒）1131031
新聞來源：中央社
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