中央社
（中央社記者張欣瑜舊金山3日專電）中國宣布管制涉及高階晶片製造的材料「鎵、鍺」，華爾街日報分析，中國一方面欲報復美國等國家對晶片製造設備的出口限制，另亦藉此措施作為與美國談判的籌碼。
中國商務部3日宣布，基於維護國家安全和利益，將自8月1日起，對「鎵、鍺」2項涉及半導體的相關材料實施出口管制，根據公告，出口商必須向中國商務部提出申請，並報告海外買家的詳細資料，經許可後才能出口。
華爾街日報指出，美中在人工智慧、量子計算、清潔能源等領域競爭激烈，美國、荷蘭接連祭出晶片製造設備出口限制新規，以打擊中國半導體產業。產業內部高階管理人員認為，中國擬藉由限制材料措施作為報復手段。
「鎵、鍺」等金屬是半導體、5G基站、太陽能板的關鍵物件。鎵被廣泛應用在電動車、手機充電器，以及商業和軍事設備。
根據美國地質調查所（US Geological Survey）數據，2018至2021年，美國53%的鎵自中國進口，2019年美國對中國的鎵課徵更高關稅後，進口量下降。
「關鍵金屬研究機構」（Critical Mineral Institute）董事會成員尼爾（Alastair Neill）表示，中國這項措施將對半導體產業產生立即連鎖效應，特別是「高效能晶片」。
華爾街日報也提到，由於中國商務部的公告並沒有提到具體細節，意味北京仍欲以此新措施，作為與美國的談判籌碼。
此公告發布的時機點，是在美國財政部長葉倫（Janet Yellen）計畫6日訪中、會見中方高層之前；此外，美國商務部長雷蒙多（Gina Raimondo）也預計在未來幾個月，前往中國訪問。
顧問公司「歐布萊特石橋集團」（Albright Stonebridge Group）的中國和科技專家崔歐洛（Paul Triolo）分析，此措施讓北京能夠依地緣政治考量來做決策，並能針對個別公司、或是特定產業的更多部門進行打擊。（編輯：張芷瑄）1120704
新聞來源：中央社
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