中央社 / 台北市
(中央社記者潘智義台北8日電)美國總統拜登宣布擴大對中國晶片及設備出口限制,研調機構集邦科技今天指出,晶圓代工廠恐無法再為中系IC設計公司,製造任何美方提及的高效能運算(HPC)相關領域晶片,將壓縮中國廠商的發展,並波及在中國的韓、台廠。
對此,晶圓代工龍頭台積電表示,現階段屬於法人說明會前緘默期,無法評論。
拜登7日宣布,限制美國對中國出口晶片技術新規定,使用於人工智慧(AI)、超級電腦運算的晶片出口均須通過審查,向中企出口半導體設備也同樣設限。
研調機構集邦科技調研運營中心營運長張小彪接受電訪表示,中國半導體製程多集中在28奈米(nm)以上的成熟製程,中芯國際發展14奈米先進製程也僅是實驗線階段;但美國發布的新禁令,將原本僅針對先進製程技術及設備逐案審查的規定,延伸到成熟製程,再加上限制從晶片擴大到記憶體,將壓縮中國廠商的發展,並波及在中國的韓、台廠。
張小彪指出,中國的長江存儲、合肥長芯,韓廠海力士、三星在中國的工廠,都受到波及。
集邦科技傍晚發布新聞稿指出,美商務部再度對中祭出限令,限制範圍由邏輯IC擴大至記憶體領域,除中資企業外,外資位於中國境內的生產基地亦需透過「逐案申請許可」方式,方能持續取得製造相關設備。
集邦認為,無論中系或美系IC公司,目前高效能運算(HPC)相關晶片多半委由台積電進行製造,製程主流為7奈米(nm)、5nm或部分12nm;未來不論是美系廠無法再出口至中國市場,或是中系廠無法進行開案、量產投片,均為台積電7nm、5nm製程的未來訂單狀況帶來負面影響。
另外,針對任何可能使用於軍事用途的晶片,中國也難以透過進口方式持續取得。
集邦調查,此次美國更新的限制範疇主要在邏輯IC,例如鰭式場效電體(FinFET)或環繞式閘極結構電晶體(GAAFET)的16/14nm 或更先進製程、動態隨機存取記憶體(DRAM)的18nm或更先進製程、NAND快閃記憶體(Flash)晶片的128層或更高層數產品等3個部分。
根據集邦調查,由於美商務部對美系設備商欲出口16nm以下設備給未被列入實體清單的中系晶圓廠、甚至是外資位於中國境內的生產基地,皆須經過審核方能執行,因此目前中系晶圓廠皆多半以28nm以上的製程發展為擴產(廠)主軸。
集邦表示,中系以外的晶圓代工廠僅有台積電南京廠以28nm擴產為主,未有先進製程規劃。
集邦指出,儘管中系晶圓廠積極與中國本土、歐系及日系設備商合作,企圖發展非美系產線,並已轉以發展28nm以上的製程為主,但該禁令形同完全扼殺中國發展14/16nm及以下先進製程擴產及發展的可能性,且28nm及以上的製程擴產,亦需經過曠日廢時的審查流程。(編輯:林克倫)1111008
新聞來源:中央社
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