台積電罕見大動作 3奈米量產典禮宣示深耕台灣決心

中央社  / 台北市

(中央社記者張建中台北24日電)台積電擴大美國投資,外派工程師赴美支援,引發「去台化」、掏空台灣疑慮。台積電將於29日舉行3奈米量產暨擴廠典禮,罕見以實際行動宣示持續深耕台灣的決心,化解外界疑慮。

台積電發出活動通知,預計12月29日在台南科學園區的晶圓18廠新建工程基地,舉行3奈米量產暨擴廠典禮,屆時將有上梁儀式。

相較於對手三星(Samsung)於今年6月30日搶先宣布3奈米環繞閘極(GAA)技術量產,並於7月25日在京畿道華城廠區內盛大舉行3奈米GAA晶片產品出廠紀念活動,台積電3奈米量產時間晚了近半年。

台積電總裁魏哲家於今年台積電台灣技術論壇中說,3奈米技術發展很困難,有好多客戶踴躍合作,台積電3奈米沿用鰭式場效電晶體(FinFET)架構,是經過考慮良久,製程技術推出不是好看、要實用,要協助客戶讓產品持續推進。

相較於5奈米,台積電3奈米製程技術的邏輯密度將增加70%,在相同功耗下速度提升10%至15%,在相同速度下功耗降低25%至30%。法人預期,蘋果(Apple)及英特爾(Intel)等客戶都將採用台積電3奈米製程。

台積電的南科晶圓18廠是5奈米及3奈米的生產基地,其中,晶圓18廠5期至9期廠房是3奈米生產基地。

台積電美國亞利桑那州廠第1期工程,預計2024年量產4奈米;第2期工程開始興建,預計2026年生產3奈米製程,兩期工程總投資金額約400億美元,兩期工程完工後合計將年產超過60萬片晶圓。

對於赴美投資引發的「去台化」、掏空台灣疑慮,魏哲家在交大及玉山科技論壇演講時以「門都沒有」回應。他說,半導體產業用的是腦力,在大部分國家都有工程師不足情況;不是工廠搬到哪個地方,那個地方就會發展茂盛,「門都沒有」。(編輯:張良知)1111224

新聞來源:中央社



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