中央社 / 台北市
（中央社記者張建中台北24日電）台積電擴大美國投資，外派工程師赴美支援，引發「去台化」、掏空台灣疑慮。台積電將於29日舉行3奈米量產暨擴廠典禮，罕見以實際行動宣示持續深耕台灣的決心，化解外界疑慮。
台積電發出活動通知，預計12月29日在台南科學園區的晶圓18廠新建工程基地，舉行3奈米量產暨擴廠典禮，屆時將有上梁儀式。
相較於對手三星（Samsung）於今年6月30日搶先宣布3奈米環繞閘極（GAA）技術量產，並於7月25日在京畿道華城廠區內盛大舉行3奈米GAA晶片產品出廠紀念活動，台積電3奈米量產時間晚了近半年。
台積電總裁魏哲家於今年台積電台灣技術論壇中說，3奈米技術發展很困難，有好多客戶踴躍合作，台積電3奈米沿用鰭式場效電晶體（FinFET）架構，是經過考慮良久，製程技術推出不是好看、要實用，要協助客戶讓產品持續推進。
相較於5奈米，台積電3奈米製程技術的邏輯密度將增加70%，在相同功耗下速度提升10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30%。法人預期，蘋果（Apple）及英特爾（Intel）等客戶都將採用台積電3奈米製程。
台積電的南科晶圓18廠是5奈米及3奈米的生產基地，其中，晶圓18廠5期至9期廠房是3奈米生產基地。
台積電美國亞利桑那州廠第1期工程，預計2024年量產4奈米；第2期工程開始興建，預計2026年生產3奈米製程，兩期工程總投資金額約400億美元，兩期工程完工後合計將年產超過60萬片晶圓。
對於赴美投資引發的「去台化」、掏空台灣疑慮，魏哲家在交大及玉山科技論壇演講時以「門都沒有」回應。他說，半導體產業用的是腦力，在大部分國家都有工程師不足情況；不是工廠搬到哪個地方，那個地方就會發展茂盛，「門都沒有」。（編輯：張良知）1111224
新聞來源：中央社
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