中央社
（中央社記者林巧璉高雄6日電）第三代半導體材料「碳化矽」（SiC）是發展電動車、6G通訊、國防、航太等關鍵要素。中山大學晶體研究中心創全國學研單位之先，成功生長6吋導電型（n-type）4H碳化矽單晶，近日將技轉。
碳化矽散熱性佳，在高電壓和高功率的表現優異，但製作困難，晶體生長技術門檻高。中山大學新聞稿指出，台灣投入生產的企業目前發表的生長速度約在150-200um／hr之間，晶體穩定性與良率仍有待提升。
中山大學材料與光電科學學系教授周明奇指出，台灣半導體產業獨步全球，居全球之冠，但在推進高功率元件、電動車及低軌衛星等先進應用過程，缺乏成熟的第三代半導體材料碳化矽的晶體生長技術，發展因此受到限制。
周明奇指出，晶體研究中心已成功長出六吋導電型N-type 4H碳化矽SiC單晶，中心厚度為19mm，邊緣約為14mm，生長速度達到370um／hr。為了從實驗室邁向工業化，團隊不斷調整生長參數、檢驗晶體品質。
今年2月，晶體研究中心確認生長的6吋導電型4H碳化矽SiC單晶生長速度更快、穩定性佳且具重複性。周明奇表示，後續將技轉至長期產學合作的企業，為台廠補足半導體產業鏈最尖端的戰略know-how。（編輯：黃世雅）1120306
新聞來源：中央社
讀者迴響