台亞法說會報喜 順利試產首顆650V氮化鎵功率元件

中央社

(中央社記者潘智義台北26日電)台亞半導體總經理衣冠君今天指出,產線承襲過往矽功率元件製程環境與技術經驗,並購入專為氮化鎵生產的有機金屬化學氣相沉積磊晶(MOCVD)等設備,已順利試產首顆符合650V氮化鎵功率元件。

台亞半導體今天召開法人說明會,衣冠君指出,氮化鎵功率元件在動、靜態方面參數都可以達到業界標準,後續待客戶驗證完畢後,可望提供產品代工服務。

衣冠君說,第2季表現儘管仍受到總體經濟情勢和終端消費力道影響,但從季成長率來看主要客群狀態,市場復甦已露曙光。

台亞半導體本次法說會,旗下子公司積亞半導體也正式亮相,展現台亞積極布局化合物半導體的決心,積亞半導體為專職製造碳化矽(SiC)晶圓,未來將根據客戶不同需求,以自製磊晶晶圓,協助製造SiC積體電路晶圓。

積亞半導體總經理王培仁在法說會表示,積亞半導體目前尚處於建置無塵室階段,無塵室預計於今年8月完工,並於2024年1月進行試產,預計於2024年第3季量產,並於2025年達到滿產能。

台亞解釋,初期生產SiC元件,主要聚焦製造白色家電、人工智慧(AI)伺服器電源供應器(server PSU)等相關功率元件市場,中長期目標為取得車用認證,進入車載充電器(OBC)、車用逆變器(traction inverter)等車載元件市場,擠身國際電動車供應鏈。

王培仁進一步表示,現階段SiC功率元件因電動車、雲端計算、再生能源等產業發展,市場仍供不應求,未來除將有助於提升台灣SiC功率元件於國際市場占有率外,將促進台灣SiC相關產業鏈發展,加速台灣化合物半導體產業鏈發展。

台亞近期在碳化矽、氮化鎵都有非常大投資金額,預計未來新廠的建置也是為了化合物半導體所建,目前規劃未來碳化矽及氮化鎵月產約近5000片,但量遠不及未來電車與新能源市場需求,已開始規劃未來3年擴廠計畫,積極向政府爭取4公頃銅鑼區用地建置新廠,擴大碳化矽、氮化鎵等生產線。(編輯:楊凱翔)1120726

新聞來源:中央社



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