中央社
（中央社記者潘智義台北19日電）富采今天宣布與德國ALLOS Semiconductors策略合作，雙方將攜手推動8吋矽基氮化鎵LED磊晶片（GaN-on-Si LED epitaxial wafer）量產，加速微型發光二極體（Micro LED）於擴增實境（AR）等更多高整合的顯示器應用發展。
富采表示，擁有高階LED磊晶製造技術與產能，ALLOS則具備業界頂尖的矽基氮化鎵磊晶技術，這項合作象徵Micro LED產業供應鏈邁向更加成熟的里程碑。
富采說明，與ALLOS開發矽基氮化鎵LED磊晶片，結合富采在LED結構上的深厚技術與ALLOS矽基氮化鎵緩衝結構技術，不僅亮度與能效可媲美傳統藍寶石基板成長的氮化鎵LED（GaN-on-sapphire），更透過磊晶片尺寸擴大至8吋以上，大幅提升單片產出面積與製程效率。
此外，其超小像素間距可滿足近眼顯示的高解析需求，並具備高度矽晶圓製程相容性與量產可行性。
富采光電元件事業本部總經理唐修穆博士表示，這項合作將提供具高度競爭力的矽基氮化鎵Micro LED 解決方案，並建立可擴展、與矽晶圓廠製程高度相容的量產途徑。藉由與ALLOS攜手，富采得以同步布局8吋矽基氮化鎵Micro LED磊晶技術，為快速成長的Micro LED產業提供更完整的價值鏈與解決方案。
ALLOS共同創辦人暨執行長Burkhard Slischka指出，富采是理想的合作夥伴，將為客戶提供高品質、具擴展性的磊晶片供應，提供業界最佳組合，包括最高的LED效率與卓越的Micro LED磊晶製程及晶片對接製程的良率（wafer-to-wafer yield），引領Micro LED晶粒製造邁向新里程碑。
此外，這項合作也將為邁向12吋矽基氮化鎵LED磊晶技術鋪路，以因應市場對更大尺寸晶圓的需求，加速Micro LED普及化。ALLOS自2020 年起即展示12吋量產能力，並持續與全球客戶合作優化技術；富采將持續攜手產業夥伴，共同拓展Micro LED的無限可能。（編輯：張均懋）1150119
新聞來源：中央社
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