中央社
（中央社記者張建中新竹28日電）晶圓代工廠世界先進今天宣布，與台積電簽署授權協議，取得台積電高壓與低壓氮化鎵（GaN）製程技術授權，以協助加速開發並拓展新一代氮化鎵電源元件，搶攻資料中心、車用電子、工業控制與能源管理等高效率電能轉換領域。
世界先進發布新聞稿指出，透過這次向台積電取得技術授權，世界先進將擴展矽基底功率氮化鎵（GaN-on-Si）製程至高壓應用領域，提供完整的GaN-on-Si平台。
世界先進表示，結合原有的新基底功率氮化鎵（GaN-on-QST）製程平台，世界先進將成為能夠同時提供矽基底功率及新基底功率，兩種不同基板氮化鎵製程的晶圓製造服務廠，可支援小於200V的低壓、650V高壓至1200V超高壓的完整產品解決方案，強化高效率電能轉換領域的技術布局。
世界先進總經理尉濟時說，這次技術授權不僅展現世界先進與台積電持續交流與合作的成果，更象徵世界先進持續致力於推動完整氮化鎵產品解決方案，並強化在化合物半導體領域的策略布局。
尉濟時表示，透過這次技術授權，世界先進將加速協助客戶滿足其對高效能電能轉換應用領域的需求，推動半導體電源技術邁向新世代，實現綠色能源與智慧應用的未來。
世界先進指出，目前正積極建構自15V至1200V的氮化鎵製程技術，為客戶提供更靈活且具競爭力的選擇。預計於成熟的8吋晶圓生產平台上進行驗證，確保製程穩定性與高良率。相關開發作業於2026年初啟動，2028年上半年量產。（編輯：張均懋）1150128
新聞來源：中央社
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