南早：中國長江存儲以國產設備生產先進晶片

中央社

（中央社記者張謙香港24日電）英文南華早報報導，受到美國當局制裁的中國半導體製造公司長江存儲，正計畫以國產設備生產先進快閃記憶體晶片。

南早網站昨天在報導中引述業界消息指出，由於美國憂慮高端的半導體落入中國軍方手中，以致中國無法購買先進晶片製造設備，如果長江存儲的相關計畫成功，代表著中國自行生產半導體產品的努力獲得突破。

據報導，以武漢為基地的長江存儲去年以其旗艦232層X3-9070 3D NAND快閃晶片逐步挑戰記憶體晶片龍頭三星電子、SK海力士與美光科技，但在美國設備供應商科磊（KLA）與科林（Lam Research）為遵守美國出口管制新規而停止對長江存儲供貨與提供服務後，長江存儲能否量產該款晶片頓成疑問。

報導引述業界消息人士說，按照長江存儲正在執行的一項高度機密計畫，公司方面正把龐大訂單交給國內設備供應商，目標是使用國產設備生產先進的3D NAND。

據報導，這些國內供應商包括北方華創科技集團股份有限公司，相關計畫已取得進展。

報導透露，長江存儲所以能夠加強購買國內設備，主要是獲得國家支持的投資者給予7億美元資金，這些資金來源包括俗稱「大基金」的中國國家集成電路產業投資基金（National Integrated Circuit Industry Investment Fund）。

網上資料顯示，長江存儲科技有限責任公司（Yangtze Memory Technology Corp，簡稱YMTC）是中國的半導體製造公司，主要業務為製造動態隨機存取記憶體（DRAM）與快閃記憶體（NAND Flash）。

2018年8月，長江存儲宣布其3D NAND架構Xtracking研發成功，該技術將負責數據讀寫操作的外圍電路和儲存單元分開獨立加工，以此降低成本並提高儲存密度。

2019年9月，長江存儲開始量產基於Xtracking架構的64層TLC 3D NAND快閃記憶體。

2020年4月，長江存儲宣布跳過96層，成功試產128層QLC 3D NAND快閃記憶體，單顆容量達1.33Tb。

2021年，美國眾議員要求將長江存儲列入制裁清單；翌年12月，美國商務部將長江存儲列入制裁實體清單。（編輯：周慧盈）1120424

新聞來源：中央社