中央社
（中央社記者張建中新竹17日電）旺宏三維儲存型快閃記憶體（3D NAND Flash）產品開發有新進展，96層3D NAND Flash產品於去年12月量產。
旺宏為全球唯讀記憶體（ROM）龍頭，在編碼型快閃記憶體（NOR Flash）領域也居領先地位，近年在3D NAND Flash的進展備受市場關注。
旺宏48層3D NAND Flash產品於2021年9月量產，據旺宏官網最新資料顯示，96層3D NAND Flash於2022年12月量產。旺宏先前表示，預計2023年底進一步完成192層3D NAND Flash產品開發。
因應3D NAND Flash研發及營運所需，旺宏董事會去年12月通過新台幣26.48億元資本預算，包含2023年資本支出及3D NAND Flash研發機器設備，預計2023年第1季起陸續投資。
旺宏同時持續推進序列式快閃記憶體技術，今年1月開始量產45奈米3V序列式快閃記憶體（Serial Flash）系列產品。
當三維儲存型快閃記憶體的堆層數越高，每一堆層的厚度會越薄，晶片尺寸會變得更小，另一方面，晶片容量卻能因此大幅提升，實現了尺寸變小、容量變大的目標。（編輯：楊凱翔）1120117
新聞來源：中央社
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