中央社
（中央社記者鍾榮峰台北10日電）半導體封測廠力成董事長蔡篤恭今天表示，今年下半年起積極擴大資本支出，因應高頻寬記憶體（HBM）等先進技術封裝需求，力成也期盼依循台積電赴日本投資模式，考量在日本擴大布局高階技術。
力成今天舉行媒體交流會，因應新技術和產品，蔡篤恭表示，今年下半年力成啟動積極資本支出規劃，不排除今年資本支出規模上看新台幣100億元，未來按照實際計畫需求，不排除挑戰歷年最高資本支出170億元至180億元。
展望日本布局計畫，蔡篤恭指出，力成期盼依循台積電在日本設廠模式，在當地布局高階技術。
談到CoWoS先進封裝趨勢，蔡篤恭表示，台積電掌握CoWoS先進封裝關鍵矽中介層（interposer）材料以及設計路徑，日月光、矽品、力成和艾克爾（Amkor）等後段專業封測廠，也可以做CoWoS封裝，但中介層的精密線寬，只能在晶圓代工廠做，晶圓廠也需一併整合先進封裝。
蔡篤恭指出，力成布局扇出型基板封裝（fan out on substrate）技術，整合特殊應用晶片（ASIC）和高頻寬記憶體HBM先進封裝架構，提供客戶不同於CoWoS的先進封裝架構。
蔡篤恭透露，力成與華邦電合作，由華邦電生產矽中介層，力成布局HBM堆疊架構，若客戶需要CoWoS封裝，華邦電可提供矽中介層材料。
在高頻寬記憶體HBM布局，蔡篤恭預期，HBM記憶體將在2025年放量，力成已準備就緒，搭上人工智慧（AI）晶片整合HBM記憶體堆疊的先進封裝需求。（編輯：張均懋）1130110
新聞來源：中央社
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