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（中央社記者鍾榮峰台北19日電）鴻海積極布局電動車第3代半導體碳化矽（SiC）功率元件，第3季啟動開發8吋SiC晶體，旗下鴻揚半導體9月已具備生產SiC MOSFET能力。
鴻海科技日18日舉行，展示電動車第3代半導體研發成果，現場工作人員說明，鴻揚半導體自行開發1200V碳化矽為基礎的金屬氧化物半導體場效電晶體（SiC MOSFET），已在9月開始產出，並結合不同功率元件設計。
在技術部分，工作人員指出，鴻揚在碳化矽元件已具備模擬能力，提供客戶製程參數，供元件設計參考，此外鴻揚也可提供製程代工服務、以及電性量測服務，提供具有競爭力的碳化矽功率元件。
展望應用，工作人員表示，鴻揚的1200V SiC MOSFET元件，可應用在車載AC/DC、DC/DC電流轉換器、車載充電器（OBC）、以及太陽光電逆變器等。
鴻海也展示與盛新材料合作6吋SiC導電型（N-type）晶圓基板產品，可應用在電動車、軌道交通、以及大功率輸電發電等領域。現場工作人員透露，第3季鴻海與盛新材料合作，開始研發8吋SiC晶體。
鴻海集團去年8月以新台幣25.2億元取得旺宏竹科6吋晶圓廠、布局碳化矽晶圓製造，以鴻揚半導體為主體，預計今年底產線建置完成，明年上線生產。（編輯：郭無患）1111019
新聞來源：中央社
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