陽明交大攜台積電開拓新技術 引領積體電路發展

陽明交大攜台積電開拓新技術 引領積體電路發展 | 華視新聞
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(中央社記者許秩維台北11日電)陽明交大團隊與台積電合作,引入光熱合併的方法,並結合紫外線照射和氧氣退火技術,實現超薄層半導體中閾值電壓調變的技術,引領積體電路技術的全新發展方向。

陽明交通大學今天發布新聞稿指出,近年來隨著半導體元件微縮,二維和準二維厚度的半導體研究持續升溫,其中透過改變材料載子濃度在超薄電晶體中調節閾值電壓,一直極具挑戰性,因為材料尺寸已接近甚至小於摻雜原子的尺寸,導致電子傳輸和控制極其困難,如何實現閾值電壓的有效調變也成為難題。

陽明交通大學電子研究所助理教授連德軒的研究團隊與台積電合作,引入光熱合併的方法,結合紫外線照射和氧氣退火,成功實現在超薄氧化銦電晶體中大範圍及大面積的閾值電壓調變,研究成果刊登於國際期刊「自然通訊」。

研究團隊提到,這種方法能實現正向和負向的閾值電壓調節,並且是可逆的操作方式,對下一代積體電路技術的發展提供重要方向;透過閾值電壓的可控性,研究團隊也通過自動化雷射系統(與雷傑科技合作),實現晶圓尺寸的閾值電壓調變,凸顯此方法在測試以外的的實際應用性。(編輯:張銘坤)1121011

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